大容量数据库如何避免ora-01555错误

本文分析了造成ora-01555错误的原因，并提出解决办法。ora-01555错误一直是DBA与developer争论的焦点，解决其问题应是双方协调的结果。     

低渗透油气藏岩石物性测试方法研究

本文是在已研制的瞬时脉冲岩石物性测试装置与改进的渗透率常规稳流测试装置基础上，分别利用瞬时脉冲方法和稳流测试方法对大量的致密油藏岩们作了渗透率测试实验。相同测试条件下通过对两种方法的对比与统计分析，对低渗透油气藏岩石物性测试的实验方法给予了充分的论证。经大量实验研究表明：在模拟地层压力条件下，瞬时脉冲测试方法与常规稳流测试方法测得的渗透率相对误差极小，通常小于10％，证明这两种方法用于低渗透油气藏岩石物性测试具有较强的合理性。     

单壁碳纳米管的制备及生长特性研究

采用Fe/MgO作为催化剂 ,催化裂解CH4制备了较纯的单壁碳纳米管 ,用TEM和Raman对碳纳米管进行了表征 ,对不同生长温度下制备的碳纳米管Raman径向呼吸振动峰 (RBM)进行了分析 ,研究了生长温度对单壁碳纳米管生长特性和结构特性的影响     

动力配煤高温复合固硫剂研究

分析了高温复合固硫剂各成分的作用，实验研究了在不同配比的燃烧试验下，各成分对燃煤着火和燃烧以及对炉渣固硫的影响，得出了该煤种高温复合固硫剂的最佳配方。     

用FEM/FIM研究单壁碳纳米管束

利用范氏力将单壁碳纳米管样品组装到钨针尖上 ,用FEM/FIM对同一碳纳米管样品用热处理方法和场脱附方法进行了研究。场离子显微镜是具有原子级分辨能力的尖端表面分析工具 ,由场离子像推测这次组装的样品是由三根单壁碳纳米管突起组成的碳纳米管束。清洁碳纳米管束样品的场发射像和场离子像有极好的对应关系。场脱附后的碳纳米管束的场发射特性较好地符合Fowler Nordheim场发射模型。通过比较碳纳米管束吸附态和热处理后以及场脱附后的Fowler Nordheim曲线的斜率变化 ,得出碳纳米管束样品逸出功的变化 ,再结合场发射像的变化推断出场脱附与热处理结合是一种较理想的获得清洁碳纳米管表面的方法     

数字多媒体广播技术现状及前景

数字多媒体广播（DMB）是从数字音频广播（DAB）基础上发展起来的一种新型广播技术。数字音频广播是在调幅AM和调频FM之后的第三代广播技术。通过对数字多媒体技术的介绍较全面地阐述了其技术系统、功能、现状及发展前景。     

一种应用于二次布局的有效划分方法

提出了一种基于二次布局的结合MFFC结群和hMETIS划分的算法.实验表明:这种方法能得到很好的布局结果,但是运行消耗的时间比较长.为了缩短划分在二次布局中运行的时间,提出了一种改进的结群算法IMFFC,用它在二次布局中做划分.与前者相比较,这种方法虽然布局质量稍差,但速度更快.     

空时块码的信道容量分析

MIMO通过多天线发射多数据流并由多天线接收实现最佳处理，可实现很高的容量和频谱利用率，这种最佳处理是通过空时码实现的。本文依照一个实际信道模型，假定Rayleigh或Rice准静态平坦非相关和部分相关信道，分析了STBC的信道容量，并进行Monte-Carlo模拟仿真。结果表明STBC的容量远低于其理论限，特别是对于大的N和M。     

光电双基区晶体管(PDUBAT)的器件模型

本文在考虑了晶体管的小注入效应和大注入效应以及基区宽变效应等因素后,首次用近似和简化的数学表示式和相应的等效电路,描述了光电双基区晶体管(PDUBAT)负阻形成的机理并使负阻区和谷值区的理论计算和实验结果一致性很好.     

Origin of the threshold voltage instability in SiO/sub 2//HfO/sub 2/ dual layer gate dielectrics

The magnitude of the V/sub T/ instability in conventional MOSFETs and MOS capacitors with SiO/sub 2//HfO/sub 2/ dual-layer gate dielectrics is shown to depend strongly on the details of the measurement sequence used. By applying time-resolved measurements (capacitance-time traces and charge-pumping measurements), it is demonstrated that this behavior is caused by the fast charging and discharging of preexisting defects near the SiO/sub 2//HfO/sub 2/ interface and in the bulk of the HfO/sub 2/ layer. Based on these results, a simple defect model is proposed that can explain the complex behavior of the V/sub T/ instability in terms of structural defects as follows. 1) A defect band in the HfO/sub 2/ layer is located in energy above the Si conduction band edge. 2) The defect band shifts rapidly in energy with respect to the Fermi level in the Si substrate as the gate bias is varied. 3) The rapid energy shifts allows for efficient charging and discharging of the defects near the SiO/sub 2//HfO/sub 2/ interface by tunneling.